光刻涂膠工藝中絕大多數的光刻膠都是疏水特性的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水特性的，這就會造成光刻膠和硅片的黏合性較差。尤其是在正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。在半導體微電子生產工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節，涂膠質量直接影響到光刻的質量，涂膠工藝也顯得尤為重要。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況，將HMDS涂到硅片表面后，經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水，其疏水基可很好地與光刻膠結合，起著偶聯劑的作用。

HMDS是氣相涂布在硅片表面，也就是硅片在HMDS的蒸汽中放置一會兒，溫度約100-180度即可。HMDS處理后需要冷卻后涂膠，但等待時間不能太長，過長處理效果會變差，建議4小時內完成涂膠。由于HMDS是極易揮發的液體，HMDS處理流程肯定是要密閉并且有專門真空環境的，否則效果不佳。三清儀器HMDS基片預處理系統通過對烘箱HMDS預處理過程中的溫度，時間，等參數的設置可在硅片表面均勻涂布一層HMDS，提高光刻膠和硅片的粘結性及降低光刻膠的用量。

HMDS烤箱使用流程，首先確定烘箱的工作溫度，然后抽取真空，達到真空度后沖入氮氣。循環抽取真空，沖入氮氣，達到預設充氮次數后，保持一段時間讓硅片充分受熱，減少硅片本身的水分，再次抽取真空，沖入HMDS氣體，讓硅片和HMDS充分反應，到達預設時間后，再次抽取真空，充入氮氣，完成整個流程。